Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB против G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Причины выбрать
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.3 9.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.2 5.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 29
Скорость чтения, Гб/сек

9.4 15.3
Скорость записи, Гб/сек

5.1 11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1432 2810

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB

Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB

Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB

Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

модули RAM

Micron Technology 16HTF25664HY-800J2 2GB

Micron Technology 16HTF25664HY-800J2 2GB

Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

модули RAM