RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Сравнить
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB против Kingston 9905702-014.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
5.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
43
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
5.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1432
3223
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link