Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB против Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Средняя оценка

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Причины выбрать
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 33

Около 12% меньшая задержка

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

Причины выбрать
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.5 9.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.3 5.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 33
Скорость чтения, Гб/сек

9.4 16.5
Скорость записи, Гб/сек

5.1 13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1432 3072

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB

SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB

модули RAM

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905630-051.A00G 16GB

Kingston 9905630-051.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Kingston 9965604-033.D00G 16GB

Kingston 9965604-033.D00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Kingston 9905678-033.A00G 4GB

Kingston 9905678-033.A00G 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

модули RAM