RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
59
Около -136% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.9
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
19.9
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
3680
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link