RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
59
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2597
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link