RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
73
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
73
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
1736
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link