RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
59
Около -127% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.2
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
3885
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link