Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

-->

Средняя оценка

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 20.7

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 59

Около -195% меньшая задержка
Выше скорость записи

19.2 1,855.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 20
Скорость чтения, Гб/сек

4,168.0 20.7
Скорость записи, Гб/сек

1,855.7 19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

680 4235

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

модули RAM

Mushkin 996902 2GB

Mushkin 996902 2GB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB

модули RAM