RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
59
Около -168% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2666
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link