RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Kingston 9905713-001.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
64
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.6
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
64
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
1808
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link