RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
59
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
19.9
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
3271
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link