Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

-->

Средняя оценка

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Средняя оценка

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.4

Среднее значение в тестах

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 59

Около -74% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.5 1,855.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 34
Скорость чтения, Гб/сек

4,168.0 15.4
Скорость записи, Гб/сек

1,855.7 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

680 2763

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB

модули RAM