RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
59
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
46
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2660
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link