RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
59
Около -211% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
3435
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link