Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB против A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 16.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,566.9 12.2

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 57

Около -73% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

57 33
Скорость чтения, Гб/сек

5,316.6 16.2
Скорость записи, Гб/сек

2,566.9 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

977 3026

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB

модули RAM