Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB против A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 16.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,566.9 12.2

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 57

Около -73% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

57 33
Скорость чтения, Гб/сек

5,316.6 16.2
Скорость записи, Гб/сек

2,566.9 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

977 3026

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

модули RAM

Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

модули RAM