Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Сообщить об ошибке

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 29

Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.5 10.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.8 7.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 8500

Около 2.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 23
Скорость чтения, Гб/сек

10.5 18.5
Скорость записи, Гб/сек

7.1 17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 21300

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1425 3905

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB

Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

модули RAM