RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2817
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link