RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2650
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO M418039 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link