RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2949
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link