RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
3367
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link