Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 32

Около 9% меньшая задержка

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.6 10.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.3 7.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 8500

Около 3.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 32
Скорость чтения, Гб/сек

10.5 17.6
Скорость записи, Гб/сек

7.1 15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 25600

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1425 3516

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston 9905702-008.A00G 8GB

Kingston 9905702-008.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB

Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

модули RAM