Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 39

Около 26% меньшая задержка

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.2 10.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.7 7.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 39
Скорость чтения, Гб/сек

10.5 13.2
Скорость записи, Гб/сек

7.1 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1425 2651

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

модули RAM

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston 9965600-027.A01G 16GB

Kingston 9965600-027.A01G 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB

модули RAM