RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
14.0
Скорость записи, Гб/сек
7.1
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2834
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link