Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Средняя оценка

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Сообщить об ошибке

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 29

Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.7 10.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.2 7.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 20
Скорость чтения, Гб/сек

10.5 19.7
Скорость записи, Гб/сек

7.1 15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1425 3473

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Kingston KY7N41-MIE 8GB

Kingston KY7N41-MIE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB

Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston 9905668-002.A00G 8GB

Kingston 9905668-002.A00G 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

модули RAM

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

модули RAM