RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2994
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link