RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
58
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
58
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
1998
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link