RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около 60% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
73
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
14.1
Скорость записи, Гб/сек
7.1
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
1609
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link