Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 36

Около 19% меньшая задержка

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15 10.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.5 7.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 8500

Около 2.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 36
Скорость чтения, Гб/сек

10.5 15.0
Скорость записи, Гб/сек

7.1 10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 19200

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1425 2292

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB

Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

модули RAM