Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB против Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 33
    Около 9% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 10.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.2 left arrow 6.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 8500
    Около 3.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    30 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.4 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.7 left arrow 13.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1573 left arrow 3075
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения