RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
40
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.3
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
2819
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link