RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
40
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
8.3
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
2486
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link