RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
40
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
8.3
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
3426
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link