RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
40
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.1
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.0
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
23.1
Скорость записи, Гб/сек
8.3
19.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
4276
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link