RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
40
Около -25% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
11.3
Скорость записи, Гб/сек
8.3
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
2292
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link