RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
122
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
122
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
9.4
Скорость записи, Гб/сек
8.3
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
1411
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link