RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Kingston 9965662-019.A00G 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
40
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
9.2
Скорость записи, Гб/сек
8.3
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
2175
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link