Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Средняя оценка

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Сообщить об ошибке

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

Причины выбрать
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 40

Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.5 13.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.3 8.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 31
Скорость чтения, Гб/сек

13.6 19.5
Скорость записи, Гб/сек

8.3 14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2035 3518

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Kingston 9905678-033.A00G 4GB

Kingston 9905678-033.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB

модули RAM