Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Средняя оценка

Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.6 12.7

Среднее значение в тестах

Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 40

Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.5 8.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 27
Скорость чтения, Гб/сек

13.6 12.7
Скорость записи, Гб/сек

8.3 10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2035 2536

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston 99U5711-001.A00G 4GB

Kingston 99U5711-001.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB

Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston 9905701-017.A00G 16GB

Kingston 9905701-017.A00G 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM