RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.3
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
3419
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link