RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
40
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
12.4
Скорость записи, Гб/сек
8.3
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
1511
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link