RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
5.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
51
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
12.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1081
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link