RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
66
Около 58% меньшая задержка
Причины выбрать
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
66
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2122
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link