RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2786
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link