RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3257
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link