Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Средняя оценка

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 28

Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.2 12.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.0 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 27
Скорость чтения, Гб/сек

12.9 18.2
Скорость записи, Гб/сек

9.0 14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2112 3538

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB

Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

Kingston 99U5700-010.A00G 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston 9965600-012.A02G 16GB

Kingston 9965600-012.A02G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB

модули RAM