RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3273
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link