RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2637
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link