RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2933
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link