RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2290
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link