RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3198
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link